隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）功率模塊因其Zhuo越的性能在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC材料以其高禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高載流子飽和速度等特性，使其在大功率領(lǐng)域中具有顯著優(yōu)勢(shì)。然而，隨著應(yīng)用的深入，SiC功率模塊的可靠性問(wèn)題逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。特別是在電力電子轉(zhuǎn)換過(guò)程中，功率器件的老化問(wèn)題尤為突出，其中鍵合線(xiàn)的失效占比高達(dá)70%，嚴(yán)重影響了SiC功率模塊的可靠性。

在SiC功率模塊中，引線(xiàn)鍵合作為連接芯片與外部電路的關(guān)鍵技術(shù)，其可靠性直接關(guān)系到整個(gè)模塊的性能和壽命。由于SiC芯片體積小、可鍵合面積減少，加之更大的功率密度帶來(lái)的更高交變溫度荷載，使得鍵合線(xiàn)和焊料層在長(zhǎng)期服役下容易出現(xiàn)老化現(xiàn)象。因此，對(duì)SiC功率模塊引線(xiàn)鍵合的可靠性進(jìn)行深入分析和研究，對(duì)于提高整個(gè)模塊的性能和可靠性具有重要意義。

本文旨在通過(guò)對(duì)SiC功率模塊引線(xiàn)鍵合技術(shù)的可靠性分析，探討影響鍵合可靠性的關(guān)鍵因素，并提出相應(yīng)的優(yōu)化策略。我們將對(duì)其可靠性測(cè)試進(jìn)行綜合分析，以期為SiC功率模塊的設(shè)計(jì)和制造提供科學(xué)依據(jù)和技術(shù)支持。。

一、SiC 功率模塊引線(xiàn)鍵合可靠性分析

SiC功率模塊引線(xiàn)鍵合可靠性分析是指對(duì)碳化硅（SiC）功率模塊中引線(xiàn)鍵合技術(shù)的可靠性進(jìn)行研究和分析的過(guò)程。這項(xiàng)分析關(guān)注于評(píng)估和提高SiC功率模塊在長(zhǎng)期運(yùn)行中的穩(wěn)定性和耐久性，特別是在大功率應(yīng)用中。以下是對(duì)這一分析的幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)的概述：

1、鍵合技術(shù)的重要性：SiC功率模塊因其高功率密度和高頻特性，在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。然而，功率器件在電力電子轉(zhuǎn)換過(guò)程中最易老化，其失效占比超過(guò)30%，其中鍵合線(xiàn)失效占比高達(dá)70%。因此，對(duì)SiC功率模塊鍵合強(qiáng)度及其可靠性的研究具有重大意義。

2、鍵合參數(shù)優(yōu)化：通過(guò)單因素實(shí)驗(yàn)和正交試驗(yàn)對(duì)比法，研究者尋求工業(yè)生產(chǎn)中不同鍵合材料的zui尤參數(shù)區(qū)間。這些參數(shù)包括鍵合功率、鍵合壓力和鍵合時(shí)間，它們對(duì)鍵合強(qiáng)度有顯著影響。

3、材料對(duì)比：研究表明，Cu鍵合線(xiàn)的最高溫度、最大等效應(yīng)力均高于Al鍵合線(xiàn)，但受材料屬性影響，Cu鍵合線(xiàn)的最大塑性應(yīng)變僅為Al鍵合線(xiàn)的1/2。根據(jù)功率循環(huán)實(shí)驗(yàn)，Cu鍵合線(xiàn)的壽命約為Al鍵合線(xiàn)的4倍。

4、電熱性能分析：通過(guò)建立器件的電熱耦合模型并進(jìn)行數(shù)值仿真實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)鍵合線(xiàn)老化會(huì)引起正向?qū)▔航瞪仙托酒砻婢C合溫度上升，測(cè)量得到的瞬態(tài)熱阻也會(huì)增大。

5、可靠性測(cè)試：包括功率循環(huán)實(shí)驗(yàn)、剪切力實(shí)驗(yàn)等，用以評(píng)估鍵合線(xiàn)的可靠性和機(jī)械強(qiáng)度。例如，高鍵合功率的鍵合壽命是低超聲功率鍵合的1.5~3倍。

二、如何進(jìn)行可靠性測(cè)試？

（一）常用檢測(cè)設(shè)備

1、Beta S100 推拉力測(cè)試機(jī)

Beta S100 推拉力測(cè)試機(jī)是一款專(zhuān)用于微電子引線(xiàn)鍵合后引線(xiàn)焊接強(qiáng)度測(cè)試、焊點(diǎn)與基板表面粘接力測(cè)試及其失效分析領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)測(cè)試儀器。

a、測(cè)試功能

用于微電子引線(xiàn)鍵合后的引線(xiàn)焊接強(qiáng)度測(cè)試。

用于焊點(diǎn)與基板表面粘接力的測(cè)試。

用于失效分析。

b、測(cè)試類(lèi)型

包括晶片推力測(cè)試。

包括金球推力測(cè)試。

包括金線(xiàn)拉力測(cè)試。

c、技術(shù)特點(diǎn)

采用高速力值采集系統(tǒng)。

根據(jù)測(cè)試需求更換相對(duì)應(yīng)的測(cè)試模組，系統(tǒng)自動(dòng)識(shí)別模組量程。

靈活應(yīng)用于不同產(chǎn)品的測(cè)試。

每個(gè)工位獨(dú)立設(shè)置安全高度位及安全限速，防止誤操作損壞測(cè)試針頭。

d、操作特性

測(cè)試動(dòng)作迅速。

測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確

適用面廣泛。

e、應(yīng)用領(lǐng)域

適用于半導(dǎo)體IC封裝測(cè)試。

適用于LED封裝測(cè)試。

適用于光電子器件封裝測(cè)試。

適用于PCBA電子組裝測(cè)試。

適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域。

適用于航空航天領(lǐng)域。

f、其他應(yīng)用

可用于各種電子分析及研究單位的失效分析。

適用于各類(lèi)院校的教學(xué)和研究。

2、檢測(cè)類(lèi)型

（二）檢測(cè)方法（剪切力測(cè)試）

步驟1、設(shè)備與配件檢查

檢查SiC功率模塊測(cè)試機(jī)及其所有配件，確保設(shè)備完整且功能正常。

確認(rèn)測(cè)試機(jī)、剪切刀和夾具等關(guān)鍵部件均已完成校準(zhǔn)，以確保測(cè)試結(jié)果的精確性。

步驟2、模塊安裝與電源連接

將待測(cè)試的SiC功率模塊正確安裝到推拉力測(cè)試機(jī)上。

連接電源，并啟動(dòng)測(cè)試機(jī)，等待系統(tǒng)自檢和模塊初始化完成。

檢查所有指示燈和顯示屏是否正常工作，確保系統(tǒng)準(zhǔn)備就緒。

步驟3、剪切刀的安裝與校準(zhǔn)

根據(jù)測(cè)試的具體需求，選擇適合的剪切刀。

將剪切刀安裝到推拉力測(cè)試機(jī)的zhi定位置，并進(jìn)行牢固鎖定，以保證測(cè)試的精確度。

步驟4、測(cè)試夾具固定

將SiC功率模塊精確地放置在測(cè)試夾具中，并確保其位置正確。

將夾具安裝到測(cè)試機(jī)的工作臺(tái)上，并使用固定螺絲將其緊固，模擬實(shí)際使用中的固定狀態(tài)。

步驟5、測(cè)試參數(shù)的設(shè)定

在測(cè)試機(jī)的軟件界面上輸入必要的測(cè)試參數(shù)，包括但不限于測(cè)試方法、傳感器選擇、測(cè)試速度、目標(biāo)力值、剪切高度和測(cè)試次數(shù)。

完成參數(shù)設(shè)置后，保存并應(yīng)用這些參數(shù)，確保測(cè)試能夠按照預(yù)定條件執(zhí)行。

步驟6、測(cè)試執(zhí)行

在顯微鏡下確認(rèn)SiC功率模塊和剪切刀的相對(duì)位置正確無(wú)誤。

啟動(dòng)測(cè)試程序，密切監(jiān)視測(cè)試過(guò)程中的動(dòng)作，確保一切按照設(shè)定的參數(shù)進(jìn)行。

如遇任何異常情況，立即停止測(cè)試以避免進(jìn)一步的損壞。

步驟七、結(jié)果觀察與分析

測(cè)試完成后，對(duì)SiC功率模塊的破壞情況進(jìn)行觀察，并進(jìn)行失效分析。

記錄剪切力數(shù)據(jù)，包括剪切力值、剪切位置、引線(xiàn)材料、鍵合方法及被鍵合的材料，以及剪切強(qiáng)度和剪切類(lèi)別代號(hào)。

對(duì)每個(gè)被剪切過(guò)的鍵合點(diǎn)，都應(yīng)記錄規(guī)定的類(lèi)別代號(hào)，并確定分離模式。

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